Intel a reusit sa gaseasca modalitatea de a face pasul catre fabricarea tranzistorilor de 45 de nanometri, realizand astfel cel mai mare progres care s-a facut in ultimii 40 de ani in industria siliciului.
Este vorba despre descoperirea a doua materiale complet noi cu care va construi componentele izolatoare ale acestor tranzistori, inlocuind dioxidul de siliciu cu un material high-k mai gros, bazat pe hafniu, astfel incat pierderile de curent sa fie reduse de peste zece ori. Pe de alta parte, Intel a dezvoltat noi materiale pentru intrerupatorul metalic, solutia aplicata oferind o crestere de 20% a performantei si o eficienta energetica de cinci ori mai mare a tranzistorilor.
Sute de milioane de astfel de tranzistori microscopici vor fi incorporati in urmatoarea generatie de procesoare Intel Core 2 Duo, Intel Core 2 Quad si Xeon. In acest sens, compania a anuntat producerea a cinci prototipuri functionale de produse – primele dintre cele 15 tipuri de procesoare pe 45 de nanometri pe care Intel intentioneaza sa le lanseze pe piata. Cu nume de cod Penryn, acestea vor fi produse pe scara larga in a doua jumatate a acestui an si vor oferi viteze record pentru desktop-uri, notebook-uri si servere, reducand in acelasi timp pierderile de electricitate din tranzistori, care ar putea afecta negativ designul, dimensiunile, consumul de energie, silentiozitatea si costurile aferente.
Tehnologia de fabricatie Intel pe 45 de nanometri face ca densitatea tranzistorilor sa fie de doua ori mai mare decat in cazul precedentei generatii, ceea ce permite companiei fie sa mareasca numarul total de tranzistori, fie sa micsoreze procesoarele, astfel incat procesoarele care echipeaza acum laptopurile vor putea incapea in celulare
Creează un cont
Bine ati venit! înregistrați-vă pentru un cont
O parola va fi trimisă pe adresa dvs de email.
Recuperare parola
Recuperați-vă parola
O parola va fi trimisă pe adresa dvs de email.
